Insulated Gate Bipolar Transistor

Dibanding jenis komponen-2 elektronika daya yg lain seperti : Dioda, BJT (Bipolar Junction Transistor), MOSFET, Thyristor, yg sudah lama dikenal, IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) merupakan jenis komponen yang baru

Meskipun ada beberapa ahli di Amerika yang memiliki kontribusi dalam proses pengembangan “konsep” komponen ini, Jayant Baliga, pakar komponen semikonduktor di perusahaan GE (General Electric) dinilai sebagai tokoh pertama yg berhasil membuat purwarupa IGBT yang “praktis” artinya “benar-benar dapat digunakan untuk aplikasi” di tahun 1982. Penemuan Baliga langsung diproduksi oleh perusahaan GE di tahun yang sama.

Jayant Baliga, penemu IGBT

IGBT, seperti di-isyaratkan oleh namanya merupakan gabungan dari 2 komponen / 2 jenis transistor : Insulated-Gate, MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor, Field-Effect Transistor) dan BJT (Bipolar Junction Transistor). BJT berperan sebagai “main power switch” yg terhubung ke beban listrik, sedang MOSFET nya berfungsi sebagai “gating device” yg meng ON/OFF kan BJT berdasarkan tegangan input pada gate nya yg diperoleh dari modul kendali DIGITAL, misalnya dari Microcontroller.

Dengan penggabungan 2 jenis transistor di atas, IGBT menggabung keunggulan keduanya : BJT memiliki keunggulan : “kerugian tegangan” yg rendah pada saat ON, sedang MOSFET punya keunggulan kesederhanaan untuk di “interface” dengan modul pengendali (misalnya Microcontroller).

IGBT mampu menghandle ARUS-BESAR dan TEGANGAN TINGGI. Sehingga dibanding BJT maupun MOSFET sebagai “komponen tunggal”, IGBT lebih sesuai digunakan dalam aplikasi kendali daya yang sangat besar, hingga ratusan kW.

Baliga dibesarkan di Jalahalli, sebuah desa kecil dekat Bangalore, India. Ayahnya, Bantwal Vittal Manjunath Baliga, adalah salah satu insinyur listrik pertama India pada hari-hari sebelum kemerdekaan dan Presiden pendiri Institut Insinyur Radio (IRE) cabang India, yang kemudian menjadi IEEE di India. Ayah Baliga memainkan peran penting dalam merintis industri industri perangkat Televisi dan Elektronika di India.

Jayant Baliga menerima gelar B.Tech di bidang Teknik Elektro dari Indian Institute of Technology, Madras, pada tahun 1969, dan gelar MS (1971) dan PhD (1974) dalam bidang Teknik Elektro dari Rensselaer Polytechnic Institute. Baliga kemudian bekerja di perusahaan GE (General Electric). Penemuan IGBT dilakukan Baliga di tahun 1982 ketika bekerja di perusahaan ini. Pada tahun 1988 Baliga menjadi Profesor di North California State University.

Jayant Baliga di dalam karirnya sebagai peneliti, penemu dan akademisi telah menerima berbagai penghargaan, disamping sebagai pemegang 120 paten Amerika.

Majalah Scientific American di tahun 1997, ketika memperingati 50 tahun penemuan transistor (1947) “menobatkan” Jayant Baliga sebagai salah satu dari 8 Pahlawan Revolusi Semikonduktor.

Dua penghargaan yang paling tinggi yg pernah beliau terima : (1) National Medal of Technology and Innovation oleh Presiden Obama ditahun 2011, dan (2) IEEE Medal of Honor di tahun 2014.

Referensi

  • Jayant Baliga, penemu IGBT https://en.wikipedia.org/wiki/B._Jayant_Baliga
  • IGBT https://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor
https://en.wikipedia.org/wiki/B._Jayant_Baliga
This entry was posted in Uncategorized. Bookmark the permalink.

Leave a Reply

Your email address will not be published.